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铠侠第九代 512Gb TLC 闪存送样

铠侠正式宣布已开启采用第九代 BiCS FLASH? 3D 闪存技术的 512Gb TLC 样品的出货工作,并计划于 2025 财年(2025 年 4 月 - 2026 年 3 月)全面启动该产品的量产。这款新产...

分类:新品快报 时间:2025/7/28 阅读:1156 关键词:铠侠

铠侠 UFS 4.1嵌入式闪存设备出样

存储行业迎来新动态,铠侠宣布开始出样 UFS 4.1 嵌入式闪存设备,同时回顾此前 SK 海力士在该领域的进展,以及 UFS 4.1 存储新标准的相关情况。  铠侠 UFS 4.1 闪存设备...

分类:新品快报 时间:2025/7/10 阅读:2703

三星 2026 年将量产 400 + 层 V10 NAND 闪存

据相关报道,三星电子计划自 2026 年 3 月起建设 V10 NAND 生产线,并于 10 月启动正式量产。这也是三星电子首次明确披露 V10 NAND 的量产计划。此前曾有观测认为三星会在...

分类:业界动态 时间:2025/7/5 阅读:359 关键词:三星

4D NAND 助力,2031 年 SLC NAND 闪存市场规模或超 164 亿

据 The Insight Partners 报告显示,2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元,预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元,2025 - 2031 年期间复合年增长率(CAGR)为 5.3%...

分类:行业趋势 时间:2025/7/4 阅读:2024 关键词:闪存

华为发布新一代OceanStor Dorado 3000融合全闪存

华为举办商业市场极简全闪数据中心Pro+暨明星产品发布会,正式发布新一代OceanStor Dorado 3000融合全闪存存储,打造商业市场存储新标杆,全面满足并大大加快商业市场客户...

分类:新品快报 时间:2025/7/1 阅读:1983 关键词:华为

铠侠推出 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P,基于 BiCS 8 TLC NAND 闪存

铠侠美国当地时间昨日宣布推出基于第八代 BiCS 3D TLC NAND 闪存的新一代 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P,该系列产品专为 GPU 加速 AI 服务器对高吞吐、低延迟、高一致...

分类:新品快报 时间:2025/6/21 阅读:1884 关键词:铠侠

Infineon-英飞凌SEMPERNOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布其业界领先的SEMPERNOR闪存经SGS-TüV认证,达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在根据ISO 26262:2018标准对产...

时间:2025/6/13 阅读:85 关键词:Infineon

英飞凌SEMPER NOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布其业界领先的SEMPER NOR闪存经SGS-TüV认证,达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在...

分类:新品快报 时间:2025/6/10 阅读:2040 关键词:英飞凌

TrendForce 预测:2025 年三季度 NAND 闪存价格或环比涨 10%

市场分析机构 TrendForce 集邦咨询发布预测,在人工智能(AI)需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下,2025 年第三季度 NAND 闪存价格有望环比增长 10%。  从整体...

分类:行业趋势 时间:2025/5/27 阅读:2022 关键词:NAND 闪存

三星电子计划停产 MLC NAND 闪存,6 月迎最后订单潮

据韩国 TheElec 报道,当地时间 5 月 26 日,三星电子向客户透露,其 MLC NAND 闪存即将停产,并计划于下个月接受最后的 MLC 芯片订单。  在通报最后 MLC NAND 排产计划...

分类:业界动态 时间:2025/5/27 阅读:346 关键词:三星电子

SK 海力士突破:321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世

根据媒体报道,SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存的移动端...

分类:名企新闻 时间:2025/5/22 阅读:239 关键词:SK 海力士

Lattice- 从闪存到MRAM:满足现代FPGA配置的需求

在技术飞速发展的今天,新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列(FPGA)的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用;然而,随着技术的进步以及对更高可靠性和...

时间:2025/3/17 阅读:82 关键词:FPGA

NAND闪存芯片,进入第十代!

根据中国电子报报道,随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展,市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高,各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发,越来越多有关...

分类:业界动态 时间:2025/3/3 阅读:473 关键词:NAND闪存

Infineon - 英飞凌推出业界首款用于太空应用的QML认证512 Mbit抗辐射加固设计NOR闪存

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出业界首款用于太空和极端环境应用的512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存 。这款半导体器件采用快速四串行外设接口(133 MHz),具有极高的密度、辐射和单次事件效应(SEE)...

时间:2025/2/20 阅读:100 关键词: 英飞凌

闪存, 超过400 层

根据外媒报道,三星目前正在开发286 层的第九代 3D NAND ,并且正在开发 400 层技术。  这是通过 2025 年 IEEE 国际固态电路会议议程发布透露的。2 月 19 日的第 30.1 届...

分类:业界动态 时间:2025/2/17 阅读:305 关键词:闪存