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Infineon-英飞凌SEMPERNOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布其业界领先的SEMPERNOR闪存经SGS-TüV认证,达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在根据ISO 26262:2018标准对产...

时间:2025/6/13 阅读:8 关键词:Infineon

英飞凌SEMPER NOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布其业界领先的SEMPER NOR闪存经SGS-TüV认证,达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在...

分类:新品快报 时间:2025/6/10 阅读:1124 关键词:英飞凌

TrendForce 预测:2025 年三季度 NAND 闪存价格或环比涨 10%

市场分析机构 TrendForce 集邦咨询发布预测,在人工智能(AI)需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下,2025 年第三季度 NAND 闪存价格有望环比增长 10%。  从整体...

分类:行业趋势 时间:2025/5/27 阅读:1728 关键词:NAND 闪存

三星电子计划停产 MLC NAND 闪存,6 月迎最后订单潮

据韩国 TheElec 报道,当地时间 5 月 26 日,三星电子向客户透露,其 MLC NAND 闪存即将停产,并计划于下个月接受最后的 MLC 芯片订单。  在通报最后 MLC NAND 排产计划...

分类:业界动态 时间:2025/5/27 阅读:260 关键词:三星电子

SK 海力士突破:321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世

根据媒体报道,SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存的移动端...

分类:名企新闻 时间:2025/5/22 阅读:212 关键词:SK 海力士

Lattice- 从闪存到MRAM:满足现代FPGA配置的需求

在技术飞速发展的今天,新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列(FPGA)的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用;然而,随着技术的进步以及对更高可靠性和...

时间:2025/3/17 阅读:57 关键词:FPGA

NAND闪存芯片,进入第十代!

根据中国电子报报道,随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展,市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高,各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发,越来越多有关...

分类:业界动态 时间:2025/3/3 阅读:457 关键词:NAND闪存

Infineon - 英飞凌推出业界首款用于太空应用的QML认证512 Mbit抗辐射加固设计NOR闪存

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出业界首款用于太空和极端环境应用的512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR闪存 。这款半导体器件采用快速四串行外设接口(133 MHz),具有极高的密度、辐射和单次事件效应(SEE)...

时间:2025/2/20 阅读:72 关键词: 英飞凌

闪存, 超过400 层

根据外媒报道,三星目前正在开发286 层的第九代 3D NAND ,并且正在开发 400 层技术。  这是通过 2025 年 IEEE 国际固态电路会议议程发布透露的。2 月 19 日的第 30.1 届...

分类:业界动态 时间:2025/2/17 阅读:269 关键词:闪存

三星、SK海力士将在2025Q1减产:NAND闪存产量至少削减10%

根据报道,NAND闪存市场将在2025年面临需求疲软与供过于求的双重挑战。三星、SK海力士、美光等主要NAND闪存生产商已计划在2025年实施减产措施。  其中,三星已决定减少西...

分类:业界动态 时间:2025/2/13 阅读:538 关键词:NAND闪存

闪存技术

EMMC和NAND闪存的区别

EMMC(嵌入式多媒体卡)和NAND闪存是存储领域的两种重要技术,它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比:  2. 核心区别  (1) 集成度  NAND闪存:  仅是存储芯片,需要外接主控(如SSD的主控芯片)、FTL(闪存转换层...

基础电子 时间:2025/4/30 阅读:1147

NAND闪存和NOR闪存的解析

NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型,用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。  NAND闪存:  结构: NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织,这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...

全部 时间:2024/3/15 阅读:483

SEMPER NOR Flash闪存解决方案中心针对安全关键型应用简化设计并缩短上市时间

英飞凌科技股份公司发布了针对屡获殊荣的SEMPERNOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站,SEMPER解决方案中心涵盖...

新品速递 时间:2024/2/27 阅读:1004

TI - OptiFlash 存储器技术如何利用外部闪存应对软件定义系统中的挑战

在写字楼、工厂车间和汽车中,软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如,使用智能锁取代机械锁后,用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制,同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下,人们对存储器的要求不断...

基础电子 时间:2024/1/11 阅读:308

LPDDR 闪存:针对汽车系统优化的存储器

这种新功能和先进功能的结合正在对传统汽车 E/E 架构的能力造成压力(见图1)。为了满足这一需求,原始设备制造商正在通过采用域/区域架构方法将更多功能整合到更少的系统...

设计应用 时间:2023/12/6 阅读:545

SSD产品中的工业温度和NAND闪存

介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”(通常为 -40°C 至 85°C)操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而,温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...

设计应用 时间:2023/10/27 阅读:624

RCAN-ET 对闪存重新编程

本应用笔记介绍了如何使用 RCAN-ET(瑞萨控制器局域网络-ET)在用户编程模式下对闪存进行重新编程。该文档介绍了一些概述和功能,以及示例程序的操作、功能和操作。 本...

设计应用 时间:2023/8/31 阅读:504

串行 NAND 闪存接口

串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比,串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度,利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI),信号传...

基础电子 时间:2023/7/20 阅读:770

闪存 101:NAND 闪存与 NOR 闪存

嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素:使用哪种类型的闪存架构,是选择串行接口还是并行接口,是否需要纠错码(ECC)等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口,这会限制选项,因此内存可能很容易选择。然而,通常情况...

基础电子 时间:2023/3/13 阅读:567

使用高速 NOR 闪存的 FPGA 配置

NOR 闪存被广泛部署为 FPGA 的配置设备。FPGA 在工业、通信和汽车 ADAS 应用中的使用取决于 NOR 闪存的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境中的摄像头系统。点火时后视图像出现在仪表板显示器上的速度...

设计应用 时间:2023/3/3 阅读:870

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