SK 海力士 400 层工艺遇阻，年底将推 375 层 NAND 闪存
在半导体存储领域，SK 海力士近期有了新的动态。原本计划推出 400 层架构 NAND 闪存的 SK 海力士，由于超高层数堆叠的量产工艺遇到瓶颈，不得不调整产品规划。目前，该公司...
分类：名企新闻 时间：2026/6/11 阅读：2839 关键词：SK 海力士
国内存储大厂佰维存储发布公告，宣布与某存储原厂签订为期24个月的企业级闪存颗粒采购合同，总承诺采购金额达18.6080亿美元（约合126亿元人民币），约定锁量锁价，履约期限...
分类：名企新闻 时间：2026/6/10 阅读：2783 关键词：佰维存
SanDisk-闪迪携UFS4.1新品及全场景闪存解决方案亮相CFMS|MemoryS 2026
先进闪存存储技术加速AI从云到端的全面应用 全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司（Nasdaq：SNDK）于今日携旗下全面的闪存解决方案，包括其首款面向智能移动设备的QLC UFS 4.1产品亮相CFMS|MemoryS 2026峰会。依托其在数...
时间：2026/5/27 阅读：94 关键词：Sandisk
Kioxia与Dell Technologies率先推出搭载9.8 PB闪存存储的高密度服务器
Kioxia Corporation今日宣布在高密度存储基础设施领域取得突破性成果，携手Dell Technologies推出一款2U服务器配置，闪存存储容量可拓展至前所未有(1)的9.8 PB。通过将Dell...
分类：新品快报 时间：2026/5/19 阅读：12805 关键词：闪存
在全球存储芯片价格持续飙升的背景下，科技巨头苹果正酝酿一场供应链变革。据多方消息证实，苹果计划在中国市场销售的iPhone机型中采用长江存储生产的NAND闪存芯片，这一举措将打破长期以来由三星、SK海力士等韩系厂商主导的供应格局。 ...
分类：业界动态 时间：2026/3/30 阅读：3323
铠侠宣布停产TSOP封装MLC NAND闪存，行业格局面临重塑
全球存储巨头铠侠电子(中国)有限公司近日正式发布通知，宣布将逐步停止生产采用"薄型小尺寸封装"(TSOP)的MLC NAND闪存产品。这一决定标志着存储行业一个重要时代的终结，也...
分类：业界要闻 时间：2026/3/20 阅读：43242
铠侠突破HBM容量限制：超高IOPS SSD将实现GPU直连闪存
在AI运算需求爆炸式增长的今天，存储性能已成为制约计算效率的关键瓶颈。传统HBM内存虽带宽优异，但容量限制和成本问题始终困扰着开发者。铠侠最新公布的战略似乎带来了破局曙光——一款能实现1000万IOPS随机读写性能的革命性SSD即将面世...
分类：业界动态 时间：2026/3/17 阅读：3130
IBM推出AI智能体驱动的FlashSystem全闪存产品组合，开启“自主存储“新时代
三款全新的企业级存储系统——IBM FlashSystem 5600、7600和9600——大幅提高存储管理工作效率； FlashSystem.ai将AI智能体作为协同管理员嵌入存储阵列； 第五代FlashCore Module（FCM5）可在1分钟内检测出勒索软件，实现系统弹性...
分类：新品快报 时间：2026/3/16 阅读：65521 关键词：IBM
全球存储芯片市场正经历新一轮涨价潮，行业巨头三星电子成为本轮涨价的引领者。据韩国媒体报道，三星电子计划在今年第二季度再度上调NAND闪存产品价格，涨幅预计与第一季度...
分类：业界要闻 时间：2026/3/9 阅读：32757
苹果供应链变局：国产内存闪存或将助力iPhone18降本增效
库克的成本难题当三星宣布存储芯片涨价30%时，苹果CEO蒂姆·库克桌上的财务报表正亮起红灯。据供应链消息，iPhone18系列存储成本可能暴涨40%，这背后是铠侠、三星等供应商要求按季度重新议价的压力。但库克的文件夹里还躺着另一份方案—...
分类：业界动态 时间：2026/2/26 阅读：3928
在电子设备的存储配置描述中，“eMMC” 是一个高频出现的词汇，尤其在中低端智能手机、平板电脑、智能电视等产品中更为常见。但很多用户会混淆 “内存” 与 “闪存” 的概念，进而产生 “eMMC 是闪存还是内存” 的疑问。要解答这个问题，...
设计应用 时间：2025/9/15 阅读：3171
一、闪存的定义与优势闪存是一种非易失性存储器，广泛应用于各类电子设备中，用于数据存储。它之所以备受青睐，是因为具备快速读写速度、耐用性、低功耗和小型化等显著优点。闪存通过电荷来存储信息，即使在掉电的情况下，也能够保留数据...
基础电子 时间：2025/8/22 阅读：759
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：906
闪存（Flash Memory）和固态硬盘（SSD）都是基于半导体存储的技术，但它们在设计、性能和用途上有显著区别。以下是两者的主要差异： 1. 基本定义闪存（Flash Memory）一种非易失性存储芯片（断电后数据不丢失），通过浮栅晶体管存储电...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：1170
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：2580
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：808
SEMPER NOR Flash闪存解决方案中心针对安全关键型应用简化设计并缩短上市时间
英飞凌科技股份公司发布了针对屡获殊荣的SEMPERNOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站，SEMPER解决方案中心涵盖...
新品速递 时间：2024/2/27 阅读：1159
TI - OptiFlash 存储器技术如何利用外部闪存应对软件定义系统中的挑战
在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断...
基础电子 时间：2024/1/11 阅读：457
这种新功能和先进功能的结合正在对传统汽车 E/E 架构的能力造成压力（见图1）。为了满足这一需求，原始设备制造商正在通过采用域/区域架构方法将更多功能整合到更少的系统...
设计应用 时间：2023/12/6 阅读：817
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：972
