三星已经开始量产最高储存密度的1TBTCL第8代V-NAND。输入其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒）
分类：名企新闻 时间：2022/11/7 阅读：155 关键词：V-NAND
三星周二推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个层堆叠。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，该公司不得不使用新的电路设计技术。与三星的上一代V-NAND相比，新内存的延迟降低了10％，功耗降...
近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。近两年3D NAND发展速度十分迅猛，2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行...
近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，称其同时拥有超大容量和超高速度。 据悉，三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计，是目前行业纪录，内部...
分类：行业趋势 时间：2018/7/13 阅读：1232 关键词：三星
据外媒7月10日报道，NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。 三星第五代V-NAND内存芯片是业内个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路，在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。...
三星计划在明年推出容量达1-Tbit的芯片，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。 三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——，以及采用其现有芯片的高密度...
三星电子NAND Flash技术再升级，昨（9）日宣布研发出容量达1Tb（terabit）的3D NAND芯片，预计明年问世。 Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片(即...
相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产...
三星电子（SamsungElectronics）对半导体攻击性投资，最快第3季内将可推出三代48层堆叠的V-NAND存储器。这将成为大幅提升成本竞争力的契机。三星半导体部门第2季睽违5年，打平营业利益3.4兆韩元（约29亿美元）纪录，第3季将挑战刷
在存储器芯片市场上，垂直堆叠结构的3DV-NANDFlash比重正迅速扩大，全球企业间的竞争也将渐趋激烈。据韩国MTNews报导，2016年前3DV-NAND市场规模预估将扩大10倍，而除目前独占市场的三星电子(SamsungElectronics
分类：行业趋势 时间：2015/4/30 阅读：12343 关键词：NAND
