2025年12月10日，比利时鲁汶传来重大科技突破——Imec首次成功采用EUV光刻技术在300毫米晶圆上实现了晶圆级固态纳米孔的规模化制造。这项革命性技术将彻底改变生物传感领域的格局，为基因组学和蛋白质组学研究带来全新可能。 纳米孔技...
分类：业界动态 时间：2025/12/10 阅读：12116
11月26日，上海芯上微装科技股份有限公司宣布，其自主研发的首台350nm步进光刻机（AST6200）已完成出厂调试与验收，正式发往客户现场。这一里程碑事件标志着我国在高端半导体光刻设备领域取得又一重大技术突破。 AST6200是芯上微装打...
分类：业界动态 时间：2025/11/27 阅读：10121 关键词：光刻机
芯片制造关键设备领域迎来新动态！11月18日晚间，国内半导体行业上市公司赛微电子（300456.SZ）发布公告，拟以不超过6000万元交易总价款收购芯东来部分股权，标志着其正式...
分类：业界动态 时间：2025/11/19 阅读：5907 关键词：赛微电子
TI-德州仪器DLP 技术为高级封装带来高精度数字光刻解决方案
新型数字微镜器件配备实时校正功能，助力设备制造商实现高分辨率印刷规模化生产，进一步提升产量与良率 TI DLP 技术造就高级封装领域的无掩模数字光刻系统 前沿动态 德州仪器(TI)近日推出新型工业数字微镜器件(DMD)DLP991UUV，...
时间：2025/11/4 阅读：212 关键词：TI
富士经济于 2025 年 8 月针对半导体制造工序中使用的 “液体过滤器” 全球市场展开调查，并发布了直至 2030 年的市场预测。此次调查为半导体产业的发展态势提供了重要参考...
分类：行业趋势 时间：2025/8/26 阅读：1637 关键词：EUV 光刻胶
根据媒体报道，自 2004 年因市场下滑停止新建半导体光刻设备生产工厂后，佳能于 2025 年 7 月 30 日宣布，将在宇都宫光学产品工厂建成一座新的半导体光刻设备工厂，预计 9 月投入运营。 宇都宫工厂投资额高达 500 亿日元（约合 3.38 ...
分类：名企新闻 时间：2025/8/5 阅读：889 关键词：佳能
佳能位于日本宇都宫市的新光刻机制造工厂预计在 9 月正式投入量产。该工厂主要聚焦于成熟制程及后段封装应用设备，这一举措将为全球芯片封装与成熟制程市场注入更多的设备产能。 这座新工厂早在 2023 年就已动工建设，佳能可能会运用...
分类：名企新闻 时间：2025/8/4 阅读：1611 关键词：佳能
ASML世界最先进EUV光刻机只卖了5台！Intel：光刻没那么重要了
光刻机领域的巨头 ASML 向 Intel 交付了首套高数值孔径 High - NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE：5000。在当时，业界普遍对这款光刻机寄予厚望，认为 High - NA EUV 将...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：487 关键词：EUV光刻机
全球半导体设备制造商ASML启动ASML杯光刻“芯”势力知识挑战赛。本次比赛面向中国半导体人才与科技爱好者，采用在线考试形式，于2025年6月20日12:00–7月4日23:59开放答题。7月中下旬公布优胜名单、8月上旬颁奖。 依托ASML在光刻领域...
分类：业界动态 时间：2025/6/24 阅读：378 关键词：ASML
英特尔董事：新型晶体管设计或减少芯片制造对 EUV 光刻机依赖
在芯片制造领域，一直以来先进光刻设备都占据着核心地位。然而，英特尔一位董事提出了一个颇具挑战性的观点，他认为未来晶体管设计，如环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET），可能会降低芯片制造对先进光刻设备，尤...
分类：名企新闻 时间：2025/6/20 阅读：329 关键词：晶体管
数字光刻技术 (DLT) 有望让芯片制造商将芯片与玻璃和其他大型基板上的亚微米布线结合起来。这种无掩模技术是应用材料公司与 Ushio 之间战略合作伙伴关系的核心，旨在加速半导体行业向异构小芯片集成的过渡。 应用材料公司一直在推出材...
基础电子 时间：2023/12/13 阅读：525
1965年，戈登·摩尔提出摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 这个不断触碰半导体工艺极限的定律，也经常伴随着“死亡”和“新生”两方面的话题。其中就有人认...
基础电子 时间：2018/5/28 阅读：2012
Maskless Lithography推出大批量PCB生产用直写光刻设备
MasklessLithography公司近日首次公开推出全新的可提高印制电路板（PCB）生产门槛的直写数字成像技术。MasklessLithography是硅谷一家由一群行业资深人士领导的新创企业。这种MLI-2027直写光刻系统首次在业内同时实
新品速递 时间：2010/4/9 阅读：4328
脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（CriticalDimension）目前已经减小至65nm，对于光波导来说已经绰绰有...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：1489
步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加的问题。一束聚焦的狭...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：5253
图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间，掩模图像是被缩小了5～10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点：，可以利用大得多的特征...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：3778
对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5gm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：3646
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，主要特性参数见表。 表:陶瓷体激光刻线型片式电感器主要特性参数
基础电子 时间：2008/5/15 阅读：2951
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，其外形尺寸如图所示。 图：陶瓷体激光刻线型片式电感器外形
基础电子 时间：2008/5/15 阅读：2342
1引言自1995年纳米压印技术提出以来，人们希望通过该技术实现低成本、高分辨率、高效率、大面积的批量制备纳米结构。但是，传统的热压印技术需要加热、高压环节，从而造成压印环节复杂、难于控制。1999年，美国得克萨斯州大学的研究小组...
设计应用 时间：2007/12/17 阅读：2057
