根据SK 海力士纳斯达克上市时提交的监管文件，该公司预计将花费约 11.9 万亿韩元收购 ASML ( ASML ) 的极紫外 (EUV) 光刻扫描仪。 ASML的股价上涨了约 4%，其他芯片设备...
分类：业界动态 时间：2026/7/7 阅读：267 关键词：SK海力士
由美国政府支持的芯片初创公司xLight正在洽谈融资3.5亿美元，预计Boardman Bay Capital Management和Bain Capital将领投此轮融资。美国政府已通过《芯片与科学法案》（CHIP...
分类：业界动态 时间：2026/6/26 阅读：7985 关键词：EUV光刻
近期，全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）与荷兰政府接连发表声明，强调中国绝无可能获取其最先进的EUV光刻机设备。这一表态迅速引发国际社会广泛关注，折射出全球半导体产业链...
分类：业界要闻 时间：2026/6/22 阅读：30358
台积电董事长魏哲家首度证实，台积电已经采购了 ASML 最新的 High - NA EUV（高数值孔径极紫外光）设备，这一举措是为了提前布局 A14 及更先进的制程。 对于市场一直关...
分类：名企新闻 时间：2026/6/5 阅读：7942 关键词：台积电
致力于打造全球最强激光器的美国公司xLight今日宣布，已与美国商务部和国家标准与技术研究院(NIST)签署最终协议，根据《芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act)获得1.5亿...
分类：业界动态 时间：2026/6/3 阅读：7888 关键词：EUV光刻
近日，日本尼康公司新任总裁兼首席执行官大村康弘在接受《日经新闻》采访时表示，尼康正积极采取行动，企图通过提供比荷兰巨头 ASML 控股公司更低的价格，来重新激活其在半...
分类：名企新闻 时间：2026/5/29 阅读：5337 关键词：尼康
虽然ASML CEO在日前披露，使用下一代High NA EUV生产的芯片即将亮相。但外媒semiwiki，依然在今日发布了一篇名为“ASML High-NA EUV is Not Ready for High-Volume Product...
分类：业界动态 时间：2026/5/25 阅读：4861 关键词：光刻机
2nm以下芯片倒计时！ASML官宣最强光刻机即将出货首批芯片
ASML 公司首席执行官傅恪礼郑重宣布，首批运用新一代高数值孔径（High - NA）EUV 光刻机制造的芯片产品，预计将在未来几个月内正式亮相，这些芯片广泛覆盖逻辑芯片和存储芯...
分类：名企新闻 时间：2026/5/21 阅读：5144 关键词：ASML
现代微电子技术正面临一个根本性的瓶颈。目前用于生产5纳米、4纳米和3纳米芯片的13.5纳米光刻技术正接近其极限。到2030年，该行业将达到其物理极限：采用该波长的传统光学...
分类：业界动态 时间：2026/5/20 阅读：7924 关键词：光刻机
光刻胶作为芯片制造的核心材料之一，其质量直接影响芯片的性能和成品率。然而，当前全球高端氟化氪（KrF）光刻胶树脂相关技术与市场长期集中在少数国外企业手中，导致供应...
分类：业界动态 时间：2026/5/13 阅读：8126 关键词：光刻胶
数字光刻技术 (DLT) 有望让芯片制造商将芯片与玻璃和其他大型基板上的亚微米布线结合起来。这种无掩模技术是应用材料公司与 Ushio 之间战略合作伙伴关系的核心，旨在加速半导体行业向异构小芯片集成的过渡。 应用材料公司一直在推出材...
基础电子 时间：2023/12/13 阅读：599
1965年，戈登·摩尔提出摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 这个不断触碰半导体工艺极限的定律，也经常伴随着“死亡”和“新生”两方面的话题。其中就有人认...
基础电子 时间：2018/5/28 阅读：2147
Maskless Lithography推出大批量PCB生产用直写光刻设备
MasklessLithography公司近日首次公开推出全新的可提高印制电路板（PCB）生产门槛的直写数字成像技术。MasklessLithography是硅谷一家由一群行业资深人士领导的新创企业。这种MLI-2027直写光刻系统首次在业内同时实
新品速递 时间：2010/4/9 阅读：4363
脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（CriticalDimension）目前已经减小至65nm，对于光波导来说已经绰绰有...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：1543
步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加的问题。一束聚焦的狭...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：5356
图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间，掩模图像是被缩小了5～10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点：，可以利用大得多的特征...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：3873
对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5gm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：3724
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，主要特性参数见表。 表:陶瓷体激光刻线型片式电感器主要特性参数
基础电子 时间：2008/5/15 阅读：3009
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，其外形尺寸如图所示。 图：陶瓷体激光刻线型片式电感器外形
基础电子 时间：2008/5/15 阅读：2399
1引言自1995年纳米压印技术提出以来，人们希望通过该技术实现低成本、高分辨率、高效率、大面积的批量制备纳米结构。但是，传统的热压印技术需要加热、高压环节，从而造成压印环节复杂、难于控制。1999年，美国得克萨斯州大学的研究小组...
设计应用 时间：2007/12/17 阅读：2123
