三星完成 1c 纳米 DRAM 工艺开发，即将迈向量产新征程
综合韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报道，当地时间 6 月 30 日下午，三星电子对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准（PRA）。这一举措意味着三星正式...
分类：名企新闻 时间：2025/7/1 阅读：300 关键词：三星
三星下一代 DRAM 良率升至 50 - 70%，竞争优势凸显
据 Sedaily 报道，三星在 1c DRAM 领域取得了显著突破，其第六代 10 纳米级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试良率已提升至 50% - 70%，相较于去年不足 30% 的水平有了大幅提高。这...
分类：业界动态 时间：2025/6/21 阅读：395 关键词：三星
SK 海力士登顶 DRAM 营收，三星电子借良品率改善谋翻身
在全球半导体市场的激烈竞争中，动态随机存取存储器（DRAM）领域的格局近期发生了显著变化。此前，市场研究机构发布的报告显示，受人工智能领域对高带宽存储器（HBM）强劲...
分类：业界动态 时间：2025/6/21 阅读：230 关键词：SK 海力士
在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，三星电子正积极采取措施重塑其在该领域的领先地位。近期，三星在第六代 DRAM（1c 节点）良率方面取得了重要突破，这一进展不仅为其...
分类：业界动态 时间：2025/6/5 阅读：372 关键词：三星 DRAM
外媒报道显示，得益于向英伟达大量供应高带宽存储器（HBM），SK 海力士的 DRAM 业务营收显著提升，进而推动了整体业绩增长。 市场研究机构发布的最新报告表明，在强劲的 ...
分类：业界动态 时间：2025/6/5 阅读：220 关键词： DRAM
三星豪投 HBM4，借 1c DRAM 挑战 SK 海力士市场霸主
近日，有消息传出，三星正通过激进投资策略，试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距，挑战其霸主地位。 科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道，三星计划在韩国华城...
据 digitimes 援引供应链消息，NVIDIA 正面临多方危机。因 H20 降规芯片禁销中国，NVIDIA 不得不在季报中认列 55 亿美元损失。为应对这一局面，首席执行官黄仁勋在美中双边...
分类：业界动态 时间：2025/5/13 阅读：445 关键词：NVIDIA
根据媒体报道，在 DRAM 市场竞争日益激烈的当下，三星电子明确了其下一代技术发展方向。据悉，三星已决定在第七代 10nm 级 DRAM 内存工艺（1d nm）之后，引入垂直通道晶体...
根据外媒报道， SK Hynix超过了三星电子产品，成为全球DRAM市场的领导者。这一发展标志着SK Hynix在今年第一季度的全球DRAM销售额36％的市场份额，这是一个关键时刻，并淘...
分类：业界动态 时间：2025/4/14 阅读：540 关键词：SK hynix
三星电子芯片部门主管上周访问英伟达，展示新设计1b DRAM样品
根据外媒的报道，三星电子副会长兼联席CEO、负责存储芯片和晶圆代工等芯片业务的设备解决方案业务部门主管全永鉉（Jun Young Hyun），最近访问了英伟达总部。全永鉉此行主...
分类：业界动态 时间：2025/2/21 阅读：350 关键词：三星电子
