MoSys与中芯国际合作升级,共推高密度嵌入式闪存

类别:新闻资讯  出处:网络整理  发布于:2007-03-19 08:59:02 | 1081 次阅读

      知识产权(IP)公司MoSys表示,扩展了与中芯国际(SMIC)之间的现有协议,纳入了MoSys的新型高密度嵌入式闪存IP。但具体的财务细节没有披露。
      根据协议,美国MoSys和中芯国际将利用中芯国际的制造工艺合作生产MoSys的1T-FLASH。MoSys公司表示,1T-FLASH是高密度NOR闪存的替代品,正在采用中芯国际的纯逻辑CMOS工艺来实现。
      MoSys公司表示,与当前一代的解决方案相比,它的1T-FLASH可以为移动设备开发商和嵌入式微控制器开发商带来巨大的成本优势。
      MoSys公司的总裁兼执行官Chet Silvestri在声明中表示:“通过与中芯国际合作,我们能够为希望集成大量高性能闪存的SoC设计者提供非常有吸引力的解决方案。”

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

维库芯视频>>

一起参观晶振行业Top5——YXC扬兴科技

热点排行