IBM三维封装芯片投产,再延摩尔定律

类别:新闻资讯  出处:网络整理  发布于:2007-04-16 08:35:39 | 1161 次阅读

   蓝色巨人IBM公司虽然已经基本上离开了PC业界,但谁也无法忽视他们对于许多关键技术领域的贡献。近日,IBM公司宣布了他们在三维芯片堆叠技术上的新突破,可以让芯片中封装的元件距离更近,让系统速度更快,体积更小,并且更加节能。公司宣称这一技术可以让摩尔定律的失效时间大幅度推后。 
    我们都知道,无论普通的电路还是芯片内的微电路,各个元件都排布在同一个平面上,而3D芯片技术则是将他们一层一层堆叠在一起,这种类似三明治的结构可以有效地减小芯片的体积,同时提高数据在芯片内传输的速度。
    这一技术并不新鲜,三星、NEC、尔必达、Oki等存储芯片厂商都在研发3D封装技术,可以成倍提升存储芯片容量。IBM的新突破在于,他们不再需要使用长长的金属导线来连接不同层次的电路,而是直接在硅板上制造出连接。这种名为“硅穿越连接”的特殊技术直接在对硅晶圆进行蚀刻时就制造出垂直连接的触点,并以金属填充,这样当多层芯片堆叠时可以直接相连,高速传送数据。同传统导线连接相比,这一技术可以将多层芯片间数据在导线中途经的距离缩短1000倍,并允许不同层次间连接的数量提高100倍。
    IBM公司半导体研发中心副总裁Lisa Su说:“这一突破是我们花费十几年研究的成果,终于可以让3D芯片技术从实验室走向正式生产。”使用该技术的产品将是IBM制造的无线网络和手机功放芯片,目前已经开始试产,今年下半年就可拿出样品,08年投入量产。
关键词:IBM

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