芯元基Micro LED巨量转移工艺取得突破

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2023-12-12 09:28:44 | 267 次阅读

  芯元基宣布公司在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上,成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺,达到了转移芯片位置零偏差。
  芯元基成立于2014年,是一家基于第三代半导体氮化镓(GaN)材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。该公司于2021年10月正式进入Micro LED领域,发展至今取得不少突破。
  2022年1月,芯元基全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列;7月27日,点亮0.12英寸 、pitch 3.75μm Micro LED芯片阵列;8月29日,点亮InGaN基红光Micro LED芯片阵列;10月13日,实现0.41英寸单色Micro LED微显示屏视频显示。
关键词:Micro LED

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告