国产
国产-018
振荡
中功率
高频
NPN型
扩散型
硅(Si)
工作原理晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压*下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）*基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区
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