H5MS2562NFR-E3M
HYNIX
特色汇总 ●移动DDR SDRAM - 双数据速率架构：每两个数据传输 时钟周期 ●移动DDR SDRAM接口 - x16总线宽度 - 复用的地址（行地址和列地址） ●电源电压 - 1.8V设备：VDD和VDDQ=1.7V到1.95V ●记忆电池阵列 - 的256Mbit（x16设备）=大4M x4Bank×16的I / O ●数据选通 - x16设备：LDQS和UDQS - 双向，数据选通（DQS）传输和处理数据，以用于接收在捕获数据 接收器 - 数据和数据掩膜引用的DQS两个边缘 ●低功耗特性 - PASR（部分阵列自刷新） - 自动TCSR（温度补偿自刷新） - DS（驱动力） - DPD（深度掉电）：DPD是一项可选功能， 所以请联系海力士办公室的DPD功能 ●输入时钟 - 差分时钟输入（CK，CK） ●数据屏蔽 - LDM和UDM：输入屏蔽信号的写入数据 - 糖尿病口罩写数据输入在上升沿和 数据选通脉冲的下降沿 ●模式RERISTER设置，扩展模式寄存器设置和状态寄存器读 - 保持在JEDEC的标准规定 （低功耗DDR SDRAM） ●CAS延迟 - 可编程CAS延时2或3支持 ●突发长度 - 可编程突发长度2/4/8既连续的和交织模式 ●自动预充电 - 选项为每个突发访问 ●自动刷新和自刷新模式 ●时钟停止模式 - 时钟停止模式是由移动DDR支持的功能 SDRAM。 - 保持在JEDEC的标准规定 ●初始化移动
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