供应SI4126DY-T1-GE3

型号/规格：
SI4126DY-T1-GE3
品牌/商标：
Vishay
制造商：
Vishay
产品种类：
MOSFET
RoHS：
符合RoHS
封装：
SOIC-Narrow-8

制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息商标: Vishay Semiconductors Id-连续漏极电流: 39 A Vds-漏源极击穿电压: 30 V Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 3.5 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8 封装: Reel 通道模式: Enhancement 配置: Single Quad Drain Triple Source 下降时间: 24 ns 正向跨导 - 值: 75 S 工作温度: - 55 C 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 2500 典型关闭延迟时间: 53 ns 典型接通延迟时间: 36 ns

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