TOSHIBA/东芝
2SK3561 K3561
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
TOSHIBA东芝*原装MOS场效应管 2SK3561 K3561 TOSHIBA东芝*原装MOS场效应管 2SK3561 K3561 2SK3561 K3561产品规格 参数 数据列表 2SK3561Mosfets Prod Guide 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏*至源*电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 8A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1050pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220SIS 包装 管件 "
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D4184 AOD4184L AOD4184 TO252 液晶高压板MOS场效应管
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