X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议 推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。作为新协议的一部分，X-FAB...
时间：2022/10/10 阅读：163 关键词：电子
恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）近日宣布推出一系列采用SiGe（硅锗）工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe
Maxim推出业界增益、噪声系数的SiGe BiCMOS LNA
Maxim针对GPS、伽利略以及GLONASS应用推出MAX2659高增益、低噪声放大器(LNA)。该器件采用Maxim先进的、低功耗SiGeBiCMOS工艺设计，具有高达20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪声系数，同时分别将输入参考1dB压缩
分类：新品快报 时间：2007/11/30 阅读：440 关键词：Maxim
捷智BiCMOS工艺助力，广晟开发出WCDMA射频收发芯片组
广晟微电子有限公司日前宣布，该公司采用捷智半导体公司0.18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出可供商用的3GWCDMA无线手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片RS1007W和发射芯片RS1007RF,广晟微电子
分类：业界要闻 时间：2006/6/2 阅读：459 关键词：WCDMA
美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高及低电压放大器
采用模拟VIP50工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率二零零五年九月二十七日--中国讯--美国国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)(美国纽约证券交易所上市代号
分类：新品快报 时间：2005/9/28 阅读：1585 关键词：高精度
飞利浦电子公司(RoyalPhilipsElectronics)日前推出采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，号称业界最小的BiCMOS逻辑器件。这种器件适合于空间受限而对性能有所要求的应用，如组网和电信设备、机顶盒解决方案及其他许多计算应用
分类：新品快报 时间：2004/12/18 阅读：1398 关键词：飞利浦
皇家飞利浦电子公司（Philips）日前采用微缩超薄四方扁平无引脚（DQFN）封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％，强健的发展蓝图不断推动
分类：新品快报 时间：2004/12/16 阅读：1325 关键词：Philips
