以下是您搜索【双极晶体管】的结果,共找到11条相关资讯

Toshiba - 双极晶体管有助于节省电路板空间

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)扩大了产品线,推出12款双极晶体管产品,用于功率器件栅极驱动电路、消费电子和工业设备电流开关以及LED驱动电路。新品包括采用SC-62封装(东芝自称:PW-Mini)的"TTA011,TTA012,TTA013,TTC019,TTC0...

时间:2023/4/17 阅读:88 关键词: 双极晶体管

IR全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管

功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,针对工业电机驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。全新器件采用IR的场截止沟道

分类:新品快报 时间:2013/6/17 阅读:409 关键词:晶体管

IR 推出绝缘栅双极晶体管在线选择工具优化电源管理设计

国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计,包括马达驱动、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器和焊接。IR全新的IGBT在线选择工具能评

分类:新品快报 时间:2010/8/19 阅读:307

Diodes推出全新20V NPN和PNP双极晶体管

Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces

分类:新品快报 时间:2010/7/20 阅读:514 关键词:DiodesNPN晶体管

ST推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管

近日,意法半导体(ST)推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT),新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D600VPowerMESH),用于工作频率超过20kHz

分类:新品快报 时间:2008/5/26 阅读:1251 关键词:晶体管

IR推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列

全球功率管理技术领导厂商——国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,能够在3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器中,减少高达30%的功率损耗。该批新特定应用产品系

分类:新品快报 时间:2008/3/12 阅读:1057 关键词:IGBT晶体管

双极晶体管和肖特基二极管改进技术

设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能,例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求,对于便携式电池供电设备(如笔记本电脑、数码相机)...

分类:业界要闻 时间:2007/6/25 阅读:2583 关键词:二极管晶体管

恩智浦发布新一代超低饱和电压BISS双极晶体管

恩智浦半导体发布了一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和

分类:新品快报 时间:2007/4/3 阅读:802 关键词:恩智浦晶体管

恩智浦新推双极晶体管 功率损耗减少80%

恩智浦半导体(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式

分类:新品快报 时间:2007/4/3 阅读:377 关键词:恩智浦晶体管

Zetex新型低电压双极晶体管有助提升功率密度

仿真信号处理及功率管理方案供货商ZetexSemiconductors,日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大SOT23封装的电流处理效能,可取代体积更大的等效SOT89和SOT223零件,有助设计人员缩减产品尺寸。Zetex善用了其先进的

分类:业界要闻 时间:2006/5/22 阅读:1085 关键词:Zetex晶体管

ST绝缘栅双极晶体管能降低开关电源损耗

意法半导体(ST)日前推出PowerMESH系列绝缘栅双极晶体管。新器件专为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用而设计。此系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术,这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性,...

分类:新品快报 时间:2005/4/25 阅读:1469 关键词:晶体管开关电源

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