东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)扩大了产品线,推出12款双极晶体管产品,用于功率器件栅极驱动电路、消费电子和工业设备电流开关以及LED驱动电路。新品包括采用SC-62封装(东芝自称:PW-Mini)的"TTA011,TTA012,TTA013,TT...
时间:2023/4/17 阅读:112 关键词: 双极晶体管
功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,针对工业电机驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。全新器件采用IR的场截止沟道
分类:新品快报 时间:2013/6/17 阅读:429 关键词:晶体管
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出全新的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在线选择工具。该工具可有效优化多种应用设计,包括马达驱动、不间断电源系统(UPS)、太阳能逆变器和焊接。IR全新的IGBT在线选择工具能评
分类:新品快报 时间:2010/8/19 阅读:328
Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces
近日,意法半导体(ST)推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT),新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D600VPowerMESH),用于工作频率超过20kHz
分类:新品快报 时间:2008/5/26 阅读:1260 关键词:晶体管
全球功率管理技术领导厂商——国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,能够在3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器中,减少高达30%的功率损耗。该批新特定应用产品系
设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能,例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求,对于便携式电池供电设备(如笔记本电脑、...
恩智浦半导体发布了一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、...
恩智浦半导体(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减...
仿真信号处理及功率管理方案供货商ZetexSemiconductors,日前推出一系列新型低电压双极晶体管。它们可扩大SOT23封装的电流处理效能,可取代体积更大的等效SOT89和SOT223零件,有助设计人员缩减产品尺寸。Zetex善用了其先进的
双极晶体管的静态工作特性是指它在特定接法中的输入特性,输出特性和电流增益特性。 一个晶体管共基极,共发射极和共继点击三种接法,因而有三组工作热性曲线来完整地描...
基础电子 时间:2017/9/7 阅读:2205
横跨多重电子应用领域、的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects C...
新品速递 时间:2014/8/19 阅读:1156
导读:日前,意法半导体(ST)发布能够提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率的3STL2540,同时兼具同级MOSFET的能效。 意法半导体(ST)的3STL2540提供双极晶体...
新品速递 时间:2013/10/17 阅读:3041
对于要使用互补双极晶体管的电路设计,有时候需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简...
技术方案 时间:2013/5/8 阅读:1586
摘 要: 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一, 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时, 以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典...
设计应用 时间:2011/10/26 阅读:5640
简介 双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度快,但输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗...
其它 时间:2011/8/27 阅读:1442
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺...
新品速递 时间:2010/7/21 阅读:3630
Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces
新品速递 时间:2010/7/20 阅读:2985
1.IGBT模块的选择在使用IGBT模块的场合,选择何种电压,电流规格的IGBT模块,需要做周密的考虑。a.电流规格IGBT模块的集电极电流增大时,VCE(-)上升,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,原件发热加剧。因此,根据额定损耗,开...
基础电子 时间:2008/10/20 阅读:1949
IGBT(IsolateGateBipolarTransistor)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几kHz
基础电子 时间:2008/10/20 阅读:8079