双极晶体管结构 上文给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号，电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流流动”的方向。对于这两种晶体管类型，箭...
设计应用 时间：2024/9/13 阅读：539
双极晶体管的静态工作特性是指它在特定接法中的输入特性，输出特性和电流增益特性。 一个晶体管共基极，共发射极和共继点击三种接法，因而有三组工作热性曲线来完整地描...
基础电子 时间：2017/9/7 阅读：2699
横跨多重电子应用领域、的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics,简称ST） 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会（NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects C...
新品速递 时间：2014/8/19 阅读：1371
导读：日前，意法半导体（ST）发布能够提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率的3STL2540,同时兼具同级MOSFET的能效。 意法半导体（ST）的3STL2540提供双极晶体...
新品速递 时间：2013/10/17 阅读：3260
对于要使用互补双极晶体管的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益（β）相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简...
技术方案 时间：2013/5/8 阅读：1757
摘 要： 功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一， 采用10M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时， 以此来降低功率双极晶体管的关断损耗。在一个典...
设计应用 时间：2011/10/26 阅读：6197
简介 双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗...
其它 时间：2011/8/27 阅读：1714
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺...
新品速递 时间：2010/7/21 阅读：3784
Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarproces
新品速递 时间：2010/7/20 阅读：3193
1.IGBT模块的选择在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。a.电流规格IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开...
基础电子 时间：2008/10/20 阅读：2179
