您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

IR牌子 场效应管IRF7319TRPBF 【原装】【大量现货】

供应 IR牌子 场效应管IRF7319TRPBF 【原装】【大量现货】
供应 IR牌子 场效应管IRF7319TRPBF 【原装】【大量现货】
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF7319TRPBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N,和,P,沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 功耗:

    2W

  • 电压:

    30V

  • 工作温度:

    -55°C 到 +150°C

普通会员
  • 企业名:深圳市福田区新亚洲电子市场二...

    类型:经销商

    电话:

    手机:15817468549

    联系人:何丽贤

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071

产品分类
商品信息

 

  • 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 SO-8
  •  晶体管*性: N和P沟道
  •  电流, Id 连续: 6.5A
  •  电压, Vds *大: 30V
  •  在电阻RDS(上): 29mohm
  •  电压 @ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  •  功耗, Pd: 2W
  •  工作温度范围: -55°C 到 150°C
  •  封装类型: SOIC
  •  针脚数: 8
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  •  SMD标号: F7319
  •  功率, Pd: 2W
  •  功耗: 2W
  •  外宽: 4.05mm
  •  外部深度: 5.2mm
  •  外*度/高度: 1.75mm
  •  封装类型: SOIC
  •  排距: 6.3mm
  •  晶体管数: 2
  •  阈值电压, Vgs th N沟道 1: 1V
  •  阈值电压, Vgs th P沟道: 1V
  •  温度 @ 电流测量: 25°C
  •  满功率温度: 25°C
  •  漏*电流, Id *大值: 6.5A
  •  漏*连续电流, Id N沟道(1): 6.5A
  •  漏*连续电流, Id P沟道: 4.9A
  •  电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  •  电压, Vds: 30V
  •  电压, Vds 典型值: 30V
  •  电压, Vgs *高: 1V
  •  电流, Idm 脉冲: 30A
  •  结温, Tj : -55°C
  •  结温, Tj *高: 150°C
  •  脉冲电流, Idm N沟道(1): 30A
  •  脉冲电流, Idm P沟道: 30A
  •  通??电阻, Rds on N沟道 *大: 29mohm
  •  通态电阻, Rds on P沟道 *大: 58mohm
  •  阈值电压, Vgs th : 1V

 

联系方式

企业名:深圳市福田区新亚洲电子市场二...

类型:经销商

电话:

手机:15817468549

联系人:何丽贤

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9