• 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 SO-8
•  晶体管*性: N和P沟道
•  电流, Id 连续: 6.5A
•  电压, Vds *大: 30V
•  在电阻RDS（上）: 29mohm
•  电压 @ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
•  功耗, Pd: 2W
•  工作温度范围: -55°C 到 150°C
•  封装类型: SOIC
•  针脚数: 8
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
•  SMD标号: F7319
•  功率, Pd: 2W
•  功耗: 2W
•  外宽: 4.05mm
•  外部深度: 5.2mm
•  外*度/高度: 1.75mm
•  封装类型: SOIC
•  排距: 6.3mm
•  晶体管数: 2
•  阈值电压, Vgs th N沟道 1: 1V
•  阈值电压, Vgs th P沟道: 1V
•  温度 @ 电流测量: 25°C
•  满功率温度: 25°C
•  漏*电流, Id *大值: 6.5A
•  漏*连续电流, Id N沟道(1): 6.5A
•  漏*连续电流, Id P沟道: 4.9A
•  电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
•  电压, Vds: 30V
•  电压, Vds 典型值: 30V
•  电压, Vgs *高: 1V
•  电流, Idm 脉冲: 30A
•  结温, Tj : -55°C
•  结温, Tj *高: 150°C
•  脉冲电流, Idm N沟道(1): 30A
•  脉冲电流, Idm P沟道: 30A
•  通??电阻, Rds on N沟道 *大: 29mohm
•  通态电阻, Rds on P沟道 *大: 58mohm
•  阈值电压, Vgs th : 1V

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