IR/国际整流器
IRF9640STRLPBF
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
3W
11A
-55°C 到 +150°C
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
数据列表 | IRF9640STRLPBF |
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET P通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏*(Id)(25° C时) | 11A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(*大值) | 500毫欧@ 6.6A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率-*大值 | 3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2引线 接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装 | 带卷(TR) |
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
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