AO
AO4411
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
FM/调频
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 32 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 760pF @ 15V
功率 - *大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC