场效应管 IRF730PBF IRF730STR IRF640STRPBF IRF640NP

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRF730/IPF640
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
AM/调幅
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
ALGaAS铝镓砷

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商品信息 更新时间：2014-10-21

标准包装 1,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss) 400V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 5.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 1 欧姆 @ 3.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 700pF @ 25V
功率 - *大值 74W
安装类型通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB