：ST牌子场效应管STP4NK60ZFP【ST代理】【原装】

品牌/商标：
ST/意法
型号/规格：
STP4NK60ZFP
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
功耗：
25W
电压：
600V
电流：
4A

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企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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∟ 贴片/片式/SMD三极管(179)∟ 功率三极管(19)∟ 开关三极管(12)∟ 微波三极管(1)∟ 其他三极管(31)
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单片机(371)
电容器(387)
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电位器(3)
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电源/稳压器(235)
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传感器(25)
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商品信息

STP4NK60ZFP

场效应管MOSFET N TO-220FP
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 4A
电压, Vds*大: 600V
在电阻RDS（上）: 2ohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 3.75V
功耗, Pd: 25W
封装类型: TO-220FP
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
功率, Pd: 25W
功耗: 25W
单脉冲雪崩能量Eas: 120mJ
封装类型: TO-220FP
漏*电流, Id*大值: 4A
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds: 600V
电压, Vds典型值: 600V
电压, Vgs*高: 30V
电容值, Ciss典型值: 510pF
电流, Idm脉冲: 16A
表面安装器件: Through Hole
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 2ohm
重复雪崩电流, Iar: 4A
阈值电压, Vgs th: 3V
阈值电压, Vgs th*高: 4.5V

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