IR/国际整流器
IRG*C30
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
类型:经销商
电话:
手机:15817468549
联系人:何丽贤
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川) 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
包装 管件
IGBT 类型 -
电压 - 集射*击穿(*大值) 600V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.6V @ 15V,18A
电流 - 集电* (Ic)(*大值) 34A
Current - Collector Pulsed (Icm) 68A
功率 - *大值 100W
Switching Energy 3.71mJ
输入类型 标准
Gate Charge 50nC
Td (on/off) A 25°C 22ns/540ns
Test Condition 480V, 18A, 23 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr) -
封装/外壳 TO-220-3
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB