FAIRCHILD/*童
FQU2N60/FQU2N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
类型：经销商
电话：
手机：15817468549
联系人：何丽贤
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川） 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 70
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 11.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 6.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 170pF @ 25V
功率 - *大值 2.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
