其他IC
IR/国际整流器
IRL3803STRR
11
MOS-TPBM/三相桥
TO263
2013
类型：经销商
电话：
手机：15817468549
联系人：何丽贤
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川） 华强北中航路新亚洲2期N2B071
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 140A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 6 毫欧 @ 71A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 140nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5000pF @ 25V
功率 - *大值 3.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
