Vishay/威世通
IRF840ASTRL
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
D-G双栅四*
CHIP/小型片状
IGBT*缘栅比*
类型:经销商
电话:
手机:13728727181
联系人:林锡纯
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 中航路新亚洲国利大厦N2A062
∟ 稳压IC(4)
标准包装 800
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 500V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 850 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1018pF @ 25V
功率 - *大值 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司