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INFINEON 英飞凌,场管效应 IKW75N60T

INFINEON 英飞凌,场管效应 IKW75N60T
INFINEON 英飞凌,场管效应 IKW75N60T
  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IKW75N60T

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 功率:

    428W

普通会员
  • 企业名:深圳市德信敏科技有限公司

    类型:其他

    电话:

    联系人:何科

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北上步工业区101栋5楼558室

产品分类
商品信息



 

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列IGBT 类型电压 - 集射*击穿(*大值)不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)电流 - 集电* (Ic)(*大值)Current - Collector Pulsed (Icm)功率 - *大值Switching Energy输入类型Gate ChargeTd (on/off) A 25°CTest Condition反向恢复时间 (trr)包装封装/外壳安装类型供应商器件封装其它名称
IKW75N60T
TO-247-3
240
分立半导体产品
IGBT - 单路
TrenchS*™
沟道和场截止
600V
2V @ 15V,75A
80A
225A
428W
4.5mJ
标准
470nC
33ns/330ns
400V, 75A, 5 欧姆, 15V
121ns
管件
TO-247-3
通孔
TO-247-3
SP
"

联系方式

企业名:深圳市德信敏科技有限公司

类型:其他

电话:

联系人:何科

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北上步工业区101栋5楼558室

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