俄罗斯、韩国
4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
类型：生产企业
电话：
86 0755 61680607
88391097
联系人：王树铭
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 上步中路深勘大厦1209-1210
∟ 复合(达林顿)三极管(1)
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆4N60，共有两种不同尺寸，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
产品介绍：
4N60是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET，具有快速开关的特点。
芯片基本性质：：
芯片型号Model | 4N60 | |
芯片尺寸： | 3.20*3.58 | 3.42*2.76 |
VDSS | 600V | 600V |
RDS(on) | 2.15(max) | 2.5(max) |
ID | 4.0A | 4.0A |
正面电*金属 | 铝 | 铝 |
背面电*金属 | 银 | 银 |
厂家参考封装形式：
芯片型号 | 封装型号 | 封装类型 |
4N60 | TO-220、TO-220PF | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
类型：生产企业
电话：
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联系人：王树铭
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友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
