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新品上架

商品信息 更新时间：2015-11-11

SI2301 P沟道增强型功率MOSFET

该SI2301采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或在PWM应用。

总体特征：

● VDS = -20V,ID = -3A

RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V

RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V

●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装

应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理

联系方式

企业名：深圳市浩畅半导体有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-83558511

手机：18938888178

联系人：黄辅乾

QQ：

微信：

邮箱：1967493414@qq.com

地址：广东深圳福田区华强北街道海外装饰大厦A座

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