IRF5210S MOS晶体管 Infineon

FET类型：P通道

技术：MOSFET

漏源极击穿电压：100V

连续漏极电流：40A

栅极-源极电压：20V

驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：60 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：230nC @ 10V

Vgs（值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2780pF @ 25V

典型栅极电荷@Vgs：150nC@10V

功率耗散：170W

栅阈值电压：4V

栅阈值电压：2V

工作温度：-55°C～150°C

安装类型：表面贴装型

引脚数：3Pin

封装：D2PAK

包装：800PCS

厂商：Infineon

先进的工艺技术

超低导通电阻

150°C工作温度

快速切换

此设计的特点是结温为150°C，开关速度快，重复雪崩额定值更高。 这些功能相结合，使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种其他应用

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