IRF640NPBF 
规格
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）:10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）:4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）:67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）:1160pF @ 25V
Vgs（值）:±20V
FET 功能:-IRF640NPBF
功率耗散（值）:150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）:150 毫欧 @ 11A，10V
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

 IRF640NPBF

晶体管泛指所有半导体器件，包含N多种类，因此其也具有多种不同的分类方式。晶体管根据使用材料的不同可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管;根据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型晶体管;根据结构和制造工艺的不同可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管;其还可根据电流容量的不同、工作频率的不同、封装结构的不同等分类方式分为不同的种类。但晶体管多指晶体三极管，主要分为双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理

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