BSC079N03LSCGATMA1介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装    带卷（TR）  

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 7.9 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 19nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1600pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta），30W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TDSON-8

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

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