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NCE6080ATO-220-3LMOSFET-新洁能

NCE6080ATO-220-3LMOSFET-新洁能
NCE6080ATO-220-3LMOSFET-新洁能
  • 型号/规格:

    NCE6080A

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 封装形式:

    TO-220-3L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • MOSFET:

    N-channel

  • VDS:

    60V

  • ID:

    80A

  • RDS(on):

    Typ 6.5m?

  • PDF资料:

    点击下载PDF

金牌会员 第 4
  • 企业名:深圳市仕乙电电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23004307

    手机:13923718954

    联系人:陈子鑫

    QQ: QQ:319087725

    邮箱:Jackie.chen@suyidada.com

    地址:广东深圳宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋201-06(诺鉑广場)

产品分类
商品信息

新洁能 NCE6080A TO-220-3L MOSFET

产品特色

NCE6080A采用了先进的堑壕技术
设计以提供优良的RDS(ON)与低栅电荷。它可用于各种各样的应用。
一般特征
VDS =60V,ID =80A

RDS(on)= 6.5Ω(典型的)@ vg = 10 v

RDS(on)= 7.5Ω(典型的)@ vg = 4.5 v

高密度电池设计,超低Rdson
充分特征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优良的包装散热性好

NCE6080A采用了先进的堑壕技术
设计以提供优良的RDS(ON)与低栅电荷。它
可用于各种各样的应用。


NCE6080A Eas test circuit



NCE6080A Gate charge test circuit



NCE6080A Switch time test circuit



应用市场

电源充电器/车载充电器/DC-DC 控制器


无锡新洁能从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关关键技术,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外公司的认可。公司利用自身技术优势,与国际的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。

公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业(中国半导体协会,2016&2017年),拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站,注重先进半导体功率器件的研发与产业化,多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表,并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入,提升产品竞争力,目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。

公司总部位于江苏无锡,设有深圳分公司。公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作者,致力于建立合作共赢的长期协作关系。

联系方式

企业名:深圳市仕乙电电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23004307

手机:13923718954

联系人:陈子鑫

QQ: QQ:319087725

邮箱:Jackie.chen@suyidada.com

地址:广东深圳宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋201-06(诺鉑广場)

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