型号：FDS4935

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型号：FDS4935

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型号：FDS4935

型号：FDS4935

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDS4935BZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 小值: 22 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 187 mg

型号：FDS4935

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