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TK42A12N1,S4X MOSFET Toshiba

TK42A12N1,S4X MOSFET Toshiba
TK42A12N1,S4X MOSFET Toshiba
  • 型号/规格:

    TK42A12N1,S4X

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220FP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    Through Hole

  • 工作温度:

    - 55 ℃

  • 工作温度:

    150 ℃

  • Pd-功率耗散:

    35 W

  • 工厂包装数量:

    50

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息

TK42A12N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh7.8ohm VGS10V10uAVDS120V Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)


Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified) TK42A12N1,S4X

TK42A12N1,S4X Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Avalanche current  Channel temperature  Storage temperature  (Silicon limit)  (Tc = 25)  (t = 1 ms)  (Tc = 25)  (Note 1), (Note 2)  (Note 1)   (Note 1)  (Note 3)  Symbol  VDSS  VGSS  ID  ID  IDP  PD  EAS  IAR  Tch  Tstg  Rating  120  ±20  88  42  167  35  92  42  150  -55 to 150  Unit  V  A  W  mJ  A  


型号: TK42A12N1,S4X

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 120 V 

Id-连续漏极电流: 42 A 

Rds On-漏源导通电阻: 7.8 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 52 nC 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 35 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK42A12N1  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 6 g


联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
0755-23956688

手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

邮箱:Lee@zlxele.com

地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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