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TPH12008NH,L1Q MOSFET Toshiba

TPH12008NH,L1Q MOSFET Toshiba
TPH12008NH,L1Q MOSFET Toshiba
  • 型号/规格:

    TPH12008NH,L1Q

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    SOP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • Vds-漏源极击穿电压:

    : 80 V

  • Id-连续漏极电流:

    : 44 A

  • Rds On-漏源导通电阻:

    : 10.1 mOhms

  • Vgs th-栅源极阈值电压:

    : 4 V

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息 更新时间:2019-03-26

TPH12008NH,L1Q

MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W


Applications TPH12008NH,L1Q

• DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers


Features TPH12008NH,L1Q

(1) Small, thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 8.1 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 80 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)


Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified) TPH12008NH,L1Q

Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Power dissipation  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Avalanche current  Channel temperature  Storage temperature  (Silicon limit)  (Tc = 25)  (t = 1 ms)  (Tc = 25)  (t = 10 s)   (t = 10 s)  (Note 1), (Note 2)  (Note 1)   (Note 1)  (Note 3)  (Note 4)  (Note 5)  Symbol  VDSS  VGSS  ID  ID  IDP  PD   PD  PD  EAS  IAR  Tch  Tstg  Rating  80  ±20  44  24  97  48  2.8  1.6  58  24  150  -55 to 150  Unit  V  A   W  W   W  mJ  A  


Static Characteristics (Ta = 25 unless otherwise specified)  

Characteristics  Gate leakage current  Drain cut-off current  Drain-source breakdown voltage  Gate threshold voltage  Drain-source on-resistance  Symbol  IGSS  IDSS  V(BR)DSS  V(BR)DSX  Vth  RDS(ON)  Test Condition  VGS = ±20 V, VDS = 0 V  VDS = 80 V, VGS = 0 V  ID = 10 mA, VGS = 0 V  ID = 10 mA, VGS = -20 V  VDS = 10 V, ID = 0.3 mA  VGS = 10 V, ID = 12 A  Min      80  60  2.0    Typ.            10.1  Max  ±0.1  10      4.0  12.3  Unit  μA  V  mΩ


联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
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手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

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邮箱:Lee@zlxele.com

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