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STN4NF03L MOSFET 晶体管

STN4NF03L MOSFET 晶体管
STN4NF03L MOSFET 晶体管
  • 型号/规格:

    STN4NF03L

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    SOT-223

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 通道数量:

    : 1 Channel

  • 晶体管极性:

    : N-Channel

  • Vds-漏源极击穿电压:

    : 30 V

  • Id-连续漏极电流:

    : 6.5 A

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息

STN4NF03L

N-channel 30 V - 0.039 Ω - 6.5 A - SOT-223  STripFET™ II Power MOSFET

MOSFET N-Ch 30 Volt 6.5 Amp


Description STN4NF03L

This Power MOSFET is the latest development of  STMicroelectronics unique “single feature size”  strip-based process. The resulting transistor  shows extremely high packing density for low onresistance,  rugged avalanche characteristics and  less critical alignment steps therefore a  remarkable manufacturing reproducibility.


Features

■ Low threshold drive

Application

■ Switching applications

型号: STN4NF03L

制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-223-4 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 6.5 A 

Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 6.5 nC 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 3.3 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: STripFET 

封装: Cut Tape 

封装: Reel 

高度: 1.8 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: STN4NF03L  

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET  

类型: MOSFET  

宽度: 3.5 mm  

商标: STMicroelectronics  

正向跨导 - 值: 3 S  

开发套件: STEVAL-ISA147V3  

下降时间: 22 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 100 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns  

单位重量: 112 mg 


联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
0755-23956688

手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

邮箱:Lee@zlxele.com

地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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