NCE01P18采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

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　　MOS管NCE01P18参数：

　　产品型号：NCE01P18

　　品牌：新洁能（NCE）

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：18A

　　漏源电压（Vdss）：100V

　　栅源极阈值电压（值）：3V@250uA

　　漏源导通电阻（值）：100mΩ@16A，10V

　　类型：P沟道

　　功率耗散（值）：70W

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源极击穿电压（）：-100V

　　连续漏极电流（）：-18A

　　功率耗散（）：70W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：85mΩ

　　封装：TO252

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　　MOS管NCE01P18包装信息：

企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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