薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层，薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。

　　它的工作状态可以利用Weimer表征的单晶硅MOSFET工作原理来描述。以n沟MOSFET为例，物理结构如图。当栅极施以正电压时，栅压在栅绝缘层中产生电场，电力线由栅电极指向半导体表面，并在表面处产生感应电荷。随着栅电压增加，半导体表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层。

　　采用NCE独有的沟槽设计和先进的FS (field stop)第二代技术，1200V沟槽FS II IGBT具有优越的导通和开关性能，易于并行操作；

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　　薄膜晶体管NCE40TD120T特性：

　　海沟FSII技术提供

　　非常低的VCE(坐)

　　高速开关

　　正温度系数的VCE(坐)

　　非常紧参数分布

　　强度高，温度稳定

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　　薄膜晶体管NCE40TD120T应用程序：

　　变频器

　　不间断电源

　　太阳能逆变器

　　焊接转换器

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　　绝对最大额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

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