STP55NF06 View All Specifications
标准包装一管 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 50A
Rds（）@ ID，VGS 18 mOhm @ 27.5A, 10V
VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 60nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1300pF @ 25V
功率 - 110W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220
通道模式 Enhancement
漏源电压 60 V
连续漏极电流 50 A
RDS -于 18@10V mOhm
门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 20 ns
典型上升时间 50 ns
典型关闭延迟时间 36 ns
典型下降时间 15 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
门源电压 ±20
包装宽度 4.6(Max)
PCB 3
功率耗散 110000
漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
漏源电阻 18@10V
每个芯片的元件数 1
工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220
标准包装名称 TO-220
工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 10.4(Max)
引脚数 3
包装高度 9.15(Max)
连续漏极电流 50
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
P（ TOT ） 110W
匹配代码 STP55NF06
R（ THJC ） 1.36K/W
LogicLevel NO
单位包 50
标准的提前期 10 weeks
起订量 50
Q（克） 60nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我（D ） 55A
V（ DS ） 60V
技术 StripFET
的RDS（on ） at10V 0.022Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 50A (Tc)
的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 60V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds（）@ Id ，V GS 18 mOhm @ 27.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 110W
输入电容（Ciss ） @ VDS 1300pF @ 25V
其他名称 497-2777-5
闸电荷（Qg ） @ VGS 60nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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