本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：15 A
Rds上漏源导通电阻：9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：37 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7455TRPBF SP001566270
单位重量：540毫克

应用

同步整流高频DC-DC变换器
无铅
好处
4.5V时超低
降低开关损耗的低电荷和低栅极阻抗
完全表征的雪崩电压和电流

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

可实现每硅面积极低的导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和

可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220 Full Pak消除了工业应用中对附加绝缘硬件的需求。

 所使用的模塑料在接线片和外部散热器之间具有较高的

隔离能力和较低的热阻。 这种隔离等效于对标准TO-220

产品使用100微米的云母屏障。 Fullpak可使用单个夹子

或单个螺钉固定到散热器上。

R RecfltlelSMPS MOSFETIRF7455HEXFET功率mosfet应用高频DC-DC变换器，

同步整流30v0.0075915ABenefitsUltra-low Rps（开），4。5V电压充电

和低栅后阻抗开关损耗特性雪崩电压Zin和电流DTop视图SO-8

额定值符号参数轴单元主电源电压GSgate to source voltage 12Vlo e TA=25C

连续漏极电流，Vos G 10V15ID TA=70“C连续漏极电流，Ves 10V脉冲漏电流

Po@TA=25°C功耗gpo@TA=70°C功耗gwi线性降额系数0.02W/cTJ，

TSTG连接和存储温度范围55到+150热阻参数MaxunitsRemaximum连接到环境50。

/第8页是典型的带逻辑电平驱动同步整流器的SMPS拓扑结构LECOM 48V输入转换器

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