本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds上漏源导通电阻：165毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.5 V
Qg-血浆甲醛：27 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：140 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：4 S
下降时间：8.9 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：32 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：17 ns
典型起始延迟时间：9.7 ns
零件号别名：IRFR15N20DTRPBF SP001555046
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•完全表征的雪崩电压和电流
额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	17	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	12
IDM	Pulsed Drain Current CD	68
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	140
PD @TA = 25°C	Power Dissipation*	3.0	W
	Linear Derating Factor	0.96	W/°C
VGS dv/dt	Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt a>	± 30 8.3	V V/ns
TJ	Operating Junction and	-55 to + 175	°C
TSTG	Storage Temperature Range
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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