本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：7 A
Rds上漏源导通电阻：26毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：46 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
钯-功率耗散：1.79 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：10 S
下降时间：107 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：25 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：227 ns
典型起始延迟时间：15 ns
零件号别名：IRF7726TRPBF SP001554380
单位重量：25.540毫克
特征
•超低导通电阻
•P沟道MOSFET
•非常小的SOIC封装
•薄型（<1.2mm）
•提供卷带包装
•无铅
描述
国际整流器公司的HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。 这种好处与国际整流器公司众所周知的坚固耐用的设备设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的设备，用于电池和负载管理。
新的Micro8封装具有标准SO-8占地面积的一半，在SOIC外形中提供了的占位面积。 这使得Micro8成为印刷电路板空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的小巧外形（<1.2mm）将使其易于安装在超薄应用环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-30	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-7.0	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-5.7
IDM	Pulsed Drain CurrentCD	-28
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipationcri	1.79	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power Dissipationcri	1.14	W
	Linear Derating Factor	0.01	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	V
TJ , TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to +150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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