本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：24 A
Rds上漏源导通电阻：3.04 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-血浆甲醛：44 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：95 S
下降时间：11 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：24 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：23 ns
典型终止时间：23 ns
零件号别名：IRF8788TRPBF SP001565728
单位重量：506.600毫克
好处
•极低的栅极电荷
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•超低门阻抗
•完全表征的雪崩电压和电流
•20V VGS。 门额定值
•100％经过Rg测试
•无铅
应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步MOSFET
•用于隔离式DC-DC转换器的同步整流器MOSFET
描述
IRF8788PbF将的HEXFET功率MOSFET硅技术整合到了行业标准的SO-8封装中。 IRF8788PbF已针对同步降压操作中至关重要的参数（包括Rds（on）和栅极电荷）进行了优化，以减少导通和开关损耗。 减少的总损耗使该产品成为为笔记本电脑和Netcom应用的一代处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	24	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	19
IDM	Pulsed Drain Current G)	190
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	2.5	W
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	1.6
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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