IRF9328TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：16.1毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-萘甲酸：18 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：20 S
下降时间：66 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：57 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：80 ns
典型中断时间：19 ns
零件号别名：IRF9328TRPBF SP001560146
单位重量：506.600毫克
特征
工业标准SO8封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
好处
多厂商兼容性
环保
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
V DS |
Drain-to-Source Voltage |
-30 |
V |
|
V GS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Conti nuous Drain Current, VGS @ 10V |
-12 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Conti nuous Drain Current, VGS @ 10V |
-9.6 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-96 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation © |
2.5 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation © |
1.6 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operat ing Juncti on and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead @ |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ® |
––– |
50 |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJL |
Junction-to-Drain Lead @ |
––– |
20 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ® |
––– |
50 |
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ：
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
