本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：9.1 A，11 A
Rds上漏源导通电阻：17.1 mOhms，11.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-血浆甲醛：6.7 nC，14 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.0 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-应力：19 S，24 S
下降时间：3.4 ns，5.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：9.3 ns，14 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：8 ns，13 ns
典型中断时间：6 ns，8 ns
零件号别名：IRF7907TRPBF SP001566462
单位重量：506.600毫克

应用领域
•用于POL的双SO-8 MOSFET
笔记本电脑，服务器中的转换器，
图形卡，游戏机和机顶盒
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（on）
•低门收费
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS。 门额定值
•改进的体二极管反向恢复
•100％经过RG测试
•无铅
额定值

	Parameter	Q1 Max.	Q2 Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30		V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	9.1	11	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	7.3	8.8
IDM	Pulsed Drain Current G)	76	85
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	2.0	2.0	W
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	1.3	1.3
	Linear Derating Factor	0.016	0.016	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150		°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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