IRLL024NTRPBF
IR
SOT-223
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-223-4
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：4.4 A
Rds漏源导通电阻：100毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-萘甲酸：10.4 nC
Pd-功率耗散：2.1 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.6毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：2500
子类别：MOSFET
零件号别名：IRLL024NTRPBF SP001568956
单位重量：112毫克
特征
表面贴装
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
第五代HEXFET利用先进的处理技术来实现每个硅面积
的极低导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET
众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，
为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
SOT-223封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。
与其他SOT或SOIC封装一样，其独特的封装设计可轻松
实现自动拾取和放置，但由于有较大的散热片，
因此具有改进的热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中，功耗可能为1.0W。
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ** |
4.4 |
A |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V * |
3.1 |
|
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V * |
2.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
12 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation (PCB Mount) ** |
2.1 |
W |
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation (PCB Mount) * |
1.0 |
|
|
|
Linear Derating Factor (PCB Mount) * |
8.3 |
mW/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 16 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ |
120 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current |
3.1 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy * |
0.1 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ |
5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ：
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
