本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：31 A
Rds上漏源导通电阻：39毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：37 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：110 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-对抗：33 S
下降时间：13 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：27 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：40 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRFR3410TRPBF SP001578202
单位重量：550毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	100	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	31®	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	22
IDM	Pulsed Drain CurrentCD	125
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	110	W
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation	3.0
	Linear Derating Factor	0.71	mW°C
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt a>	15	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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