本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MX
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：25 V
Id-连续直流电流：210 A
Rds上漏源导通电阻：1.8毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：45 nC
Pd-功率耗散：89 W
商标名：DirectFET
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon Technologies
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF6797MTRPBF SP001530232
特征

符合RoHs标准，不含铅和溴化物
集成单片肖特基二极管
薄型（<0.7毫米）
双面散热兼容
超低封装电感
针对高频开关进行了优化
CPU核心DC-DC转换器的理想选择
针对同步进行了优化。 同步的FET插座。 降压转换器
低传导和开关损耗
与现有的表面贴装技术兼容
已通过100％汞测试
描述
IRF6797MPbF将的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，从而在具有SO-8占位面积和仅0.7 mm外形的封装中实现了的导通状态电阻。 DirectFET封装与电源应用，PCB组装设备以及气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。关于制造方法和工艺，遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET封装允许双面冷却，以限度地提高电源系统中的热传递，将以前的热阻提高80％。
IRF6797MPbF平衡了业界领先的通态电阻，同时将栅极电荷降至，并具有超低封装电感，以降低传导和开关损耗。该部分包含一个集成的肖特基二极管，以减小体漏二极管的Qrr，从而进一步减少同步降压电路中的损耗。降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载供电的高频/高效DC-DC转换器，例如一代的微处理器。 IRF6797MPbF已针对同步降压转换器的Sync FET插座中至关重要的参数进行了优化。

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