本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：门驱动器
RoHS：详细信息
产品：IGBT，MOSFET栅极驱动器
类型：高边，低边
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOIC-16
激励器数量：2驱动程序
输出端数量：2输出
输出电流：1.7 A
配置：同相
上升时间：25 ns
下降时间：17 ns
电源电压-：12 V
电源电压-：20 V
传播延迟—延迟：280 ns
工作电源电流：340 uA
Pd-功率耗散：1.25 W
门驱动器工作温度：-
门驱动器工作温度：+ 125 C
系列：IR221X
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
特点：独立
高度：2.35毫米
长度：10.5毫米
技术：Si
宽度：7.6毫米
商标：Infineon / IR
逻辑类型：CMOS，TTL
关闭：关机
关闭延迟时间：225 ns
开启延迟时间：280 ns
湿度敏感性：是
产品类型：门驱动器
工厂包装数量：1000
子类别：PMIC-电源管理IC
商标名：EiceDRIVER
零件号别名：IR2213STRPBF SP001539316
单位重量：666毫克
特征
用于引导操作的浮动通道
可在+1200 V的电压下完全运行
可以承受负瞬态电压
dV / dt免疫
栅极驱动电源范围为12 V至20 V
两个通道的欠压锁定
3.3 V逻辑兼容
单独的逻辑电源范围为3.3 V至20 V
逻辑和电源地±5 V偏移
带下拉功能的CMOS施密特触发输入
逐周期触发边沿关闭逻辑
两个通道的匹配传播延迟
输出与输入同相

描述
IR2213（S）是高压，高速电源
MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高低
侧参考输出通道。 专有HVIC和
闩锁免疫CMOS技术使坚固耐用
整体结构。 逻辑输入与
标准CMOS或LSTTL输出，逻辑电压低至3.3V。
输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级
设计用于化驱动器交叉传导。
匹配传播延迟以简化高
频率应用。 可以使用浮动通道
以高电平驱动N沟道功率MOSFET或IGBT
侧面配置，工作电压为1200V。

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