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场效应管 FX20ASJ-06,FX20ASJ-2

场效应管 FX20ASJ-06,FX20ASJ-2
场效应管 FX20ASJ-06,FX20ASJ-2
  • 品牌/商标:

    RENESAS/瑞萨

  • 型号/规格:

    FX20ASJ-2,SOT-252,SMD/MOS,P场,-100V,-20A,0.26Ω

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

普通会员
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:经销商

    电话: 0755-83683996

    联系人:钟丽华

    QQ: QQ:2355799088

    邮箱:2355799088@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部:深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室

商品信息 更新时间:2014-03-12

FX20ASJ-2,SOT-252,SMD/MOS,P场,-100V,-20A,0.26Ω

FX20ASJ-03F,SOT-252,SMD/MOS,P场,-30V,-20A,0.13Ω

产品型号:FX20ASJ-03F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):-20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.12

开启电压VGS(TH)(V):-2.5

功率PD(W):25

极间电容Ciss(PF):500

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:,-30V,-20A p-Channel 功率MOSFET

 

产品型号:FX20ASJ-06

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):-20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.097

开启电压VGS(TH)(V):-2.3

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):2370

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:,-60V,-20A P-Channel 功率MOSFET


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